El proyecto Agate (Advanced GaN substrates & Technologies) persigue el desarrollo y fabricación de un volumen pequeño de sustratos e interruptores avanzados basados en Nitruro de Galio (GaN), un material semiconductor con gran potencial para facilitar el desarrollo de distintas aplicaciones como convertidores de potencia, LED, RF o células solares.

GPtech participa en este proyecto con diferentes objetivos. Por un lado, busca la integración en aplicaciones fotovoltaicas de módulos de potencia basados en GaN para validar esta tecnología. Por otro, analizará y evaluará los convertidores de potencia que utilizan tecnología basada en Silicio (Si), frente a los que trabajan con tecnología basada en Carburo de Silicio (SiC) y los que usan Nitruro de Galio (GaN). De este modo, se pretende presentar las limitaciones que tiene la tecnología basada en SiC frente a la basada en GaN, y resaltar el potencial de esta tecnología para su implementación en el mercado actual.

El proyecto Agate pertenece al programa Joint Technology Initiatives, incluido en el Séptimo Programa Marco europeo. Está liderado por Soited, compañía líder en el desarrollo y fabricación de innovadores materiales semiconductores para las industrias energética y electrónica.